1985年

EEE電子デバイス分科会・年間最優秀論文賞 (1984 Paul Rappaport Award) / IEEE 1984 Paul Rappaport Award (anually most outstanding one paper in Electon Devices Society Journals) H. Sunami, T. Kure, N. Hashimoto, T. Toyabe, and S. Asai, "Corrugated　Capacitor Cell (CCC)," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-31, No. 6, pp. 746-753, June 1984. 　　受賞論文/Awarded paper →

1985年

学位取得（工学博士）: 「金属-酸化膜-半導体・酸化膜形成と金属-酸化膜-半導体・縮小デバイスの研究」 Doctor's Degree: "STUDIES ON MOS OXIDE FORMATION AND SCALED MOS DEVICES"

1987年

IEEE Senior Member

1991年		関東地方発明奨励賞: 「溝形キャパシタDRAMセル」 Kanto District Significant Invention Award: "Trench capacitor DRAM cell"	br

1991年

IEEE Cledo Brunetti Award: "For contributions in the invention and development of the trench capacitor DRAM cell" 　　表彰式資料/Award ceremony → 　　過去の受賞者一覧/Recipient list→　 　　受賞紹介新聞/Newspapers→　　　　受賞紹介雑誌/Magazines→

1995年

関東地方発明知事賞: 「ダブルバランスCMOSセンスアンプ回路」 主筆：湊修博士 Kanto District Governor's Significant Invention Award: "Double-balanced CMOS sense amplifier circuit" Principal author: Dr. Osamu Minato

1998年

IEEE Fellow: "For contributions to the development of the trench-capacitor DRAM cells and ultra-high density DRAMs"

1998年

東京都発明功労者表彰: 「トレンチキャパシタDRAMセルの発明」 Tokyo Governor's Award - Man of Merit for Invention: "Invention of trench capacitor DRAM cell"

2003年

電子情報通信学会フェロー: 「トレンチキャパシタDRAMセルの発明とメモリ研究開発」 Fellow, IEICE: ”Invention of trench capacitor DRAM cell and research and development of memory"

2004年		IEEE IEDM50周年記念：重要発表表彰（過去58件の優秀発表の一つに選ばれる） / Selected as one of 58 epoch-making presentations at 50-th anniversary of IEEE IEDM

日本から私を含めて6件が選ばれた。それらは、スタックセル(1978)/小柳光正、フラッシュメモリ(1984)/舛岡富士雄、移動度解析(1988)/高木信一、DELTAトランジスタ(1989)/久本大、歪みトランジスタ(1990)/村上英一（敬称略）の各氏である。 　Six Japanese presentations were selected including mine. Others were stack capacitor by M. Koyanagi(1978), flash memory by F. Masuoka (1984), mobility characterization by S. Takagi(1988), DELTA transistor by D. Hisamoto (1989), and strained transistor by E. Murakami(1990).

2006年

IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal “For pioneering contributions to dynamic random access memory (DRAM) cell structures and architecture.” 　授賞告知/Award notice → 　表彰式寸景/Ceremony→ 　受賞挨拶/Recipient talk→ 　新聞記事/Newspaper →

2007年

広島大学名誉教授 Honorary Professor of Hiroshima University

2007年

応用物理学会フェロー: 「トレンチキャパシタDRAMセルの発明と集積回路技術の研究」 Fellow, Japan Society of Applied Physics: "Invention of trench capacitor DRAM cell and research in integrated circuit technology"

2015年

IEEE広島支部　功績賞: 「IEEE広島支部の運営と支部ホームページの開設への貢献」 Distinguished Service Award of Hiroshima Section "Contribution to the administration of IEEE Hiroshima Section and opening of Hiroshima Section web-pages"

2016年

IEEE Life Fellow "In Recognition of the Many Years of Loyal Membership & Support of the Activities of IEEE"